Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: IXTY02N50D

34 предложений от 16 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 200мА; Idm: 800мА; 25Вт; TO252

Информация по: IXTY02N50D

  • Datasheet Littelfuse IXTY02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок. Тип упаковки: ТО-252 ...
  • Datasheet IXYS IXTY02N50D
    МОП-транзистор высокого напряжения Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения. Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок. Тип упаковки: ТО-252 ...
  • MOSFET в обедненном режиме запускает импульсный источник питания
    Многие импульсные источники питания содержат цепи начального запуска для инициализации их автономной работы. Это могут быть простые схемы, основанные на резисторах, как, например, IRIS4015 , или более сложные, в которых используются биполярные транзисторы или MOSFET. Транзисторы обеспечивают начальным током микросхемы обратноходовых преобразователей или корректоров коэффициента мощности (ККМ). Когда такой источник начинает работать в нормальном режиме, микросхема ККМ продолжает получать ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники