 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: IXTY1R4N60P
 Купить IXTY1R4N60P на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 250 ₽10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin(2+Tab) TO-252AA |
Информация по: IXTY1R4N60P
- Datasheet IXTY1R4N60P - IXYS Даташит Полевой транзистор, N, D-PAKНаименование модели: IXTY1R4N60P Производитель: IXYS Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 1 А Drain Source Voltage Vds: 600 В On State Resistance: 9 Ом Корпус транзистора: D-PAK Количество выводов: 3 Capacitance Ciss Typ: 140 пФ Тепловое сопротивление переход-корпус: 2.5°C/W N-channel Gate Charge: 5.2nC Тип корпуса: DPAK Power Dissipation Pd: 50 Вт Способ монтажа: SMD Threshold Voltage Vgs Typ: 5.5 В Тип ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
