Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: LND150N8-G

37 предложений от 21 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 30 мА, 850 Ом, SOT-89, Surface Mount

Информация по: LND150N8-G

  • Схема защиты от напряжений ±500 В
    Вступление На Рисунке 1 показана схема защиты низковольтных высокоимпедансных измерительных приборов от напряжений до 500 В. Защита реализуется путем ограничения величины тока, поступающего в измерительный прибор. Схема защитит от разрушительных высоких постоянных напряжений до 500 В положительной и отрицательной полярности, непреднамеренно подключенных к щупам (V MEAS ). Рисунок 1. Описание схемы Схема состоит из двух транзисторов Q 1 и Q 2 и одного резистора R 1 . Q 1 и Q 2 это 500-вольтовые ...
  • Datasheet Microchip LND150N8-G
    N-канальный режим истощения DMOS FET

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники