Драйвер полумоста 600 В с высокой плотностью мощности с двумя режимами улучшения GaN HEMT MASTERGAN2 - это усовершенствованная комплексная система питания, объединяющая драйвер затвора и два улучшенных GaN-транзистора в асимметричной полумостовой конфигурации. Интегрированные силовые GaN имеют напряжение пробоя сток-исток 650 В и R DS (ВКЛ) 150 мОм и 225 мОм для стороны низкого и высокого соответственно, в то время как на стороне высокого напряжения встроенного драйвера затвора может быть ...
Драйвер полумоста 600 В с высокой плотностью мощности с двумя режимами улучшения GaN HEMT MASTERGAN2 - это усовершенствованная комплексная система питания, объединяющая драйвер затвора и два улучшенных GaN-транзистора в асимметричной полумостовой конфигурации. Интегрированные силовые GaN имеют напряжение пробоя сток-исток 650 В и R DS (ВКЛ) 150 мОм и 225 мОм для стороны низкого и высокого соответственно, в то время как на стороне высокого напряжения встроенного драйвера затвора может быть ...
Взяв за основу технологию платформы MasterGaN, STMicroelectronics (ST) создала высоковольтный полумостовой драйвер, ставший первым устройством в новом семействе MasterGaN2 , содержащим два асимметричных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора и обеспечивающим интегрированное решение для топологий преобразователей с мягким переключением и активным выпрямлением. Нормально закрытые 650-вольтовые GaN транзисторы имеют сопротивления открытых каналов 150 мОм и 225 мОм. Каждый из них объединен с ...