Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: MASTERGAN2

35 предложений от 11 поставщиков
Gate Driver, GaN HEMT, High Voltage, 15.5 A, 3.3 V to 15 V Input, QFN-31

Информация по: MASTERGAN2

  • Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN2
    Драйвер полумоста 600 В с высокой плотностью мощности с двумя режимами улучшения GaN HEMT MASTERGAN2 - это усовершенствованная комплексная система питания, объединяющая драйвер затвора и два улучшенных GaN-транзистора в асимметричной полумостовой конфигурации. Интегрированные силовые GaN имеют напряжение пробоя сток-исток 650 В и R DS (ВКЛ) 150 мОм и 225 мОм для стороны низкого и высокого соответственно, в то время как на стороне высокого напряжения встроенного драйвера затвора может быть ...
  • Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN2
    Драйвер полумоста 600 В с высокой плотностью мощности с двумя режимами улучшения GaN HEMT MASTERGAN2 - это усовершенствованная комплексная система питания, объединяющая драйвер затвора и два улучшенных GaN-транзистора в асимметричной полумостовой конфигурации. Интегрированные силовые GaN имеют напряжение пробоя сток-исток 650 В и R DS (ВКЛ) 150 мОм и 225 мОм для стороны низкого и высокого соответственно, в то время как на стороне высокого напряжения встроенного драйвера затвора может быть ...
  • STMicroelectronics расширяет семейство MasterGaN новым устройством, оптимизированным для асимметричных топологий
    Взяв за основу технологию платформы MasterGaN, STMicroelectronics (ST) создала высоковольтный полумостовой драйвер, ставший первым устройством в новом семействе MasterGaN2 , содержащим два асимметричных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора и обеспечивающим интегрированное решение для топологий преобразователей с мягким переключением и активным выпрямлением. Нормально закрытые 650-вольтовые GaN транзисторы имеют сопротивления открытых каналов 150 мОм и 225 мОм. Каждый из них объединен с ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники