Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: MASTERGAN4

31 предложений от 13 поставщиков
Gate Drivers High power density 600V half bridge driver, two enhancement mode GaN power HEMTComplete Your Design

Информация по: MASTERGAN4

  • Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4
    Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT Все особенности Система в корпусе на 600 В, объединяющая полумостовой драйвер затвора и высоковольтные силовые транзисторы на основе GaN: QFN 9 x 9 x 1 мм в корпусе R DS (ВКЛ) = 225 мОм I DS (МАКС.) = 6,5 А Возможность обратного тока Нулевые потери при обратном восстановлении Защита UVLO на нижней и верхней стороне Внутренний бутстрап-диод Функция блокировки Выделенный контакт для отключения ...
  • STMicroelectronics представляет новый силовой модуль MasterGaN4 для преобразования мощности до 200 Вт
    Чтобы упростить конструирование высокоэффективных преобразователей энергии мощностью до 200 Вт, STMicroelectronics (ST) выпустила силовые модули MasterGaN4 , объединив в них два симметричных 650-вольтовых мощных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора с сопротивлениями открытых каналов 225 мОм, а также оптимизированные драйверы затворов и схемы защиты. Последнее дополнение к семейству MasterGaN компании ST упрощает проектирование с использованием широкозонных мощных GaN полупроводниковых приборов, ...
  • Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4
    Драйвер полумоста с высокой плотностью мощности 600 В с двумя режимами усиления GaN HEMT Все особенности Система в корпусе на 600 В, объединяющая полумостовой драйвер затвора и высоковольтные силовые транзисторы на основе GaN: QFN 9 x 9 x 1 мм в корпусе R DS (ВКЛ) = 225 мОм I DS (МАКС.) = 6,5 А Возможность обратного тока Нулевые потери при обратном восстановлении Защита UVLO на нижней и верхней стороне Внутренний бутстрап-диод Функция блокировки Выделенный контакт для отключения ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники