Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: MJ11032

53 предложений от 29 поставщиков
TRANSISTOR; Transistor Type:NPN; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:120V; Current, Ic Continuous a Max:50A; Voltage, Vce Sat Max:3.5V; Power Dissipation:300mW; Hfe, Min:400; Case Style:TO-204; Termination Type:Through Hole; Temperature, Operating Range:-55°C to +200°C. Исполнение: TO-3

Информация по: MJ11032

  • Datasheet MJ11032 - Multicomp Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-3
    Наименование модели: MJ11032 Производитель: Multicomp Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MJ11032, 11033 Darlington Power Transistors Complementary Silicon Power Darlington Transistors are designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features: · High Gain Darlington performance. · High DC Current Gain: hFE = 1000 (Minimum) at IC = 25A, hFE = 400 (Minimum) at IC = 50A. · Monolithic ...
  • Datasheet MJ11032 - Semelab Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-3
    Наименование модели: MJ11032 Производитель: Semelab Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NPN PNP MJ11029 MJ11031 MJ11033 LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 25.4 (1.0) 10.92 (0.430) 1.57 (0.062) Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120 В Power Dissipation Pd: 300 Вт DC Collector Current: 50 А Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +175°C Корпус транзистора: TO-3 Количество выводов: ...
  • Datasheet MJ11033 - Multicomp Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-3
    Наименование модели: MJ11033 Производитель: Multicomp Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MJ11032, 11033 Darlington Power Transistors Complementary Silicon Power Darlington Transistors are designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. Features: · High Gain Darlington performance. · High DC Current Gain: hFE = 1000 (Minimum) at IC = 25A, hFE = 400 (Minimum) at IC = 50A. · Monolithic ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники