Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: MJE2955T

62 предложений от 31 поставщиков
Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, F=2MHz, -55 to +150C)

Информация по: MJE2955T

  • Datasheet MJE2955T - Multicomp Даташит Транзистор, PNP, TO-220
    Наименование модели: MJE2955T Производитель: Multicomp Описание: Транзистор, PNP, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MJE2955T, 3055T Complementary Power Transistors Complementary Silicon Power Transistors are designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. Features: · Power dissipation-PD = 75W at TC = 25°C. · DC current gain hFE = 20 (Minimum) at IC = 4.0A. · VCE(sat) = 1.1V (Maximum) at IC = 4.0A, IB = 400mA. Спецификации: Полярность ...
  • Datasheet MJE2955T - STMicroelectronics Даташит Транзистор, PNP, TO-220
    Наименование модели: MJE2955T Производитель: STMicroelectronics Описание: Транзистор, PNP, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ® MJE2955T MJE3055T COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS s s Спецификации: Полярность транзистора: PNP Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В Частота единичного усиления типовая: 2 МГц Power Dissipation Pd: 75 Вт DC Collector Current: 10 А Корпус транзистора: TO-220 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (15-Dec-2010) Collector Emitter Voltage ...
  • Datasheet MJE3055T - Multicomp Даташит Транзистор, NPN, TO-220
    Наименование модели: MJE3055T Производитель: Multicomp Описание: Транзистор, NPN, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MJE2955T, 3055T Complementary Power Transistors Complementary Silicon Power Transistors are designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. Features: · Power dissipation-PD = 75W at TC = 25°C. · DC current gain hFE = 20 (Minimum) at IC = 4.0A. · VCE(sat) = 1.1V (Maximum) at IC = 4.0A, IB = 400mA. Спецификации: Полярность ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники