Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: MMBFJ113

65 предложений от 25 поставщиков
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 2 мА, -3 В

Информация по: MMBFJ113

  • Datasheet MMBFJ113 - Fairchild Даташит N CHANNEL JFET, -35 В, SOT-23
    Наименование модели: MMBFJ113 Производитель: Fairchild Описание: N CHANNEL JFET, -35 В, SOT-23 Спецификации: Breakdown Voltage Vbr: -35 В Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -3 В Рассеиваемая мощность: 350 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Количество выводов: 3 Gate-Source Breakdown Voltage: 35 В RoHS: есть
  • Datasheet J111 - Fairchild Даташит Транзистор, JFET, N, TO-92
    Наименование модели: J111 Производитель: Fairchild Описание: Транзистор, JFET, N, TO-92 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: J111 / J112 / J113 / MMBFJ111 / MMBFJ112 / MMBFJ113 J111 J112 J113 MMBFJ111 MMBFJ112 MMBFJ113 G S G S Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: 35 В Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 20 мА Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 10 В Рассеиваемая мощность: 625 мВт Корпус транзистора: TO-92 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC ...
  • Datasheet J112 - Fairchild Даташит Транзистор, JFET, N, TO-92
    Наименование модели: J112 Производитель: Fairchild Описание: Транзистор, JFET, N, TO-92 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: J111 / J112 / J113 / MMBFJ111 / MMBFJ112 / MMBFJ113 J111 J112 J113 MMBFJ111 MMBFJ112 MMBFJ113 G S G S Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: -35 В Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 5 мА Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 5 В Рассеиваемая мощность: 350 мВт Корпус транзистора: TO-92 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники