Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: MMBFJ175LT1G

48 предложений от 21 поставщиков
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт

Информация по: MMBFJ175LT1G

  • Datasheet MMBFJ175LT1G - ON Semiconductor Даташит P CHANNEL JFET, 30 В, SOT-23
    Наименование модели: MMBFJ175LT1G Производитель: ON Semiconductor Описание: P CHANNEL JFET, 30 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MMBFJ175LT1G JFET Chopper P-Channel - Depletion Features · These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Спецификации: Breakdown Voltage Vbr: 30 В Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6 В Рассеиваемая мощность: 225 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Количество выводов: 3 Continuous Drain Current ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники