Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: MMBFJ309LT1G

55 предложений от 22 поставщиков
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт

Информация по: MMBFJ309LT1G

  • Datasheet MMBFJ309LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23
    Наименование модели: MMBFJ309LT1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ310L JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel Features http://onsemi.com 2 SOURCE · AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable · S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique · Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: 25 В Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 12 мА .. 30 мА ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники