Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: MMBFJ310LT1G

52 предложений от 21 поставщиков
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт

Информация по: MMBFJ310LT1G

  • Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23
    Наименование модели: MMBFJ310LT1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23 Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: 25 В Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА .. 60 мА Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6.5 В Рассеиваемая мощность: 225 мВт Корпус транзистора: SOT-23 Количество выводов: 3 SVHC: No SVHC (19-Dec-2011) Capacitance Ciss Max: 5 пФ Current Idss Max: 60 мА Current Idss Min: 24 мА Drain Source Voltage ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники