Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: MMBT2369L

Биполярные транзисторы - BJT NPN HIGH SPD SW

Информация по: MMBT2369L

  • Выходные потенциалы схемы сдвига уровня могут быть отрицательными
    Для питания цифровых систем требуется много разных напряжений. Память питается напряжением 1.8 В, для работы I 2 C и ПЛИС требуется напряжение 3.3 В, микроконтроллеры работают от 5 В, а ПЗС-датчикам изображения необходимы напряжения от 9 до 8 В. Параметры импульсов синхронизации каждого устройства должны соответствовать его рабочему напряжению. Схему сдвига, показанную на Рисунке 1, можно использовать для установки верхнего и нижнего логического уровня входных импульсных сигналов, включая ...
  • Datasheet ON Semiconductor MMBT2369L
    Биполярный транзистор NPN Этот биполярный транзистор NPN разработан для коммутации общего назначения и размещается в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23. Это устройство идеально подходит для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.
  • Datasheet ON Semiconductor MMBT2369LT1G
    Биполярный транзистор NPN Этот биполярный транзистор NPN разработан для коммутации общего назначения и размещается в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23. Это устройство идеально подходит для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники