Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: MMBTH10

57 предложений от 29 поставщиков
Транзисторы биполярные.Тип проводимости: NPNМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 25Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: 30Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: 3Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: 0,5Максимальный постоянный ток коллектора, А: 0,05Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 0,225Коэффициент усиления hFE мин.: 100Коэффициент усиления hFE макс.: 200Граничная...

Информация по: MMBTH10

  • Datasheet Diodes MMBTH10
    Транзистор VHF/UHF для поверхностного монтажа NPN Разработан для применения в усилителях VHF/UHF и высокочастотных генераторах VHF.
  • Datasheet MMBTH10LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, NPN
    Наименование модели: MMBTH10LT1G Производитель: ON Semiconductor Описание: Транзистор, NPN Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: MMBTH10LT1G, MMBTH10-4LT1G VHF/UHF Transistor NPN Silicon Features http://onsemi.com COLLECTOR 3 1 BASE Symbol VCEO VCBO VEBO Value 25 30 3.0 Unit Vdc Vdc Vdc 2 EMITTER · These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Спецификации: Полярность транзистора: NPN Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25 В Рассеиваемая мощность: 225 мВт DC ...
  • Простая схема пожирателя пульсаций
    Работу многих усилителей, в том числе интегральных устройств, могут нарушить помехи на входных клеммах питания. Из-за несовершенного подавления пульсаций питания эти клеммы являются источником шума, проникающего в сигнал, который усиливается усилителем. Таким образом, усилителям необходим источник чистого питания. Но стабилизированный источник, даже при использовании регулятора с малым падением напряжения (LDO), может создать проблемы в конструкции усилителя с батарейным питанием. Если ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники