Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: MTD1N60E

8 предложений от 8 поставщиков
TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM

Информация по: MTD1N60E

  • Datasheet Motorola MTD1N60E
    Кремниевый затвор N-канального режима расширения, устаревший – без запасной части В этом высоковольтном МОП-транзисторе используется усовершенствованная схема согласования, обеспечивающая расширенные возможности блокировки напряжения без ухудшения производительности с течением времени. Кроме того, этот усовершенствованный TMOS E-FET рассчитан на выдерживание высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Новая энергоэффективная конструкция также предлагает диод сток-исток с быстрым ...
  • Схема питания мощных светодиодов от сети переменного тока
    Журнал РАДИОЛОЦМАН, январь 2020 Светодиоды приобрели популярность как средство экономии энергии для освещения общего назначения, но это потребовало разработки эффективных способов управления ими. Светодиоды для устройств освещения помещений выпускаются, например, компанией Lumileds под маркой Luxeon. Для питания нескольких светодиодов может быть достаточно лишь токоограничивающего резистора, но в осветительных приложениях для освещения достаточной области требуется цепь из 20 или более ...
  • Источник питания без обратной связи обеспечивает мощность до 1 Вт
    В оборудовании, много времени пребывающем в режиме ожидания, на микропроцессор должно постоянно подаваться питание, когда другие компоненты находятся в спящем режиме, чтобы принимать и интерпретировать любой сигнал пробуждения от пульта дистанционного управления, вещательной компании или иного источника. Эти типы систем имеют довольно низкое энергопотребление, и использование классических микросхем импульсных источников питания для уровней мощности менее 1 Вт будет явным перебором. Любая ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники