 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: MTP3N60E
Купить MTP3N60E на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 84 315 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS |
Информация по: MTP3N60E
- Транзисторы укрощают индуктивность рассеянияВ обратноходовых преобразователях со стабилизацией на первичной стороне слабая связь между вторичной силовой и первичной вспомогательной обмоткой часто приводит к плохому перекрестному регулированию. Эта ситуация возникает в основном из-за индуктивности рассеяния, но также оказывает влияние уровень ограничения напряжения на первичной обмотке. На Рисунке 1 показана типичная схема использования микросхемы NCP1200 в конфигурации со вспомогательной обмоткой L AUX . В этой микросхеме используется ...
- Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/DTMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться. Это новое высокоэнергетическое устройство также оснащено диодом сток-исток с быстрым временем восстановления. Разработанные для высоковольтных, высокоскоростных коммутационных приложений, таких как источники питания, устройства управления двигателями с ШИМ и другими ...
Новое в электронике
- Схема подает в нагрузку постоянную мощность
- «Сделано в России» - как попасть в Реестр Минпромторга РФ?
- Приглашаем принять участие в обновленном двухдневном семинаре «Управление проектами разработки электроники» 28-29 мая в Москве
- Безэховая камера ЛЭТИ поможет создать новый метод микширования аудиозаписей
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
