Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: NE3509M04

20 предложений от 20 поставщиков
РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

Информация по: NE3509M04

  • Конструирование сверхмалошумящего усилителя S диапазона
    Журнал РАДИОЛОЦМАН, март 2013 Многим инженерам разработка малошумящего ВЧ усилителя со стабильным усилением кажется сложной, и даже пугающей задачей. Однако с развитием в последние годы технологии GaAs (арсенид галлиевых) полевых транзисторов с гетеропереходом (HFET) появилась возможность создания простых устойчивых усилителей с коэффициентом шума менее 1 дБ [ 1 ]. Ниже описана схема малошумящего усилителя с коэффициентом шума 0.77 дБ. Изготовители малошумящих усилителей в спецификациях на ...
  • Обсуждение: Конструирование сверхмалошумящего усилителя S диапазона
    Подробнее: Конструирование сверхмалошумящего усилителя S диапазона Заметка интересная, но приведённый Рис.3 не соответствует действительности (то же и в оригинале, в EDN). Описание создания двухкаскадного усилителя вообще отсутствует, так же как и результаты измерений шумов, параметров согласования на входе и на выходе. Автору успешно удалось угробить исходный Кш=(0,3-0,4)дБ, снизив его до 0,77дБ. Сильный ход! Скорее всего, разработка и параметризация начались и закончились в MWO, без ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники