 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: NGTB20N120LWG
 Купить NGTB20N120LWG на РадиоЛоцман.Цены — от 117 до 1 073 ₽16 предложений от 15 поставщиков Incorporated into the device is a rugged co?packaged free wheeling diode with a low forward voltage. |
Информация по: NGTB20N120LWG
- Datasheet NGTB20N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3Наименование модели: NGTB20N120LWG Производитель: ON Semiconductor Описание: IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: NGTB20N120LWG IGBT This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for resonant or soft switching ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
