Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: NTH4L015N065SC1

22 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 100А; Idm: 483А; 250Вт; TO247

Информация по: NTH4L015N065SC1

  • Datasheet ON Semiconductor NTH4L015N065SC1
    МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,6 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием. Кроме того, низкое сопротивление в открытом состоянии и компактный размер кристалла обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают высочайшую эффективность, более быструю рабочую частоту, повышенную ...
  • ON Semiconductor анонсирует новые 650-вольтовые SiC MOSFET
    Превосходные коммутационные характеристики и повышенная надежность обеспечивают увеличение плотности мощности в различных сложных приложениях ON Semiconductor анонсировала новую линейку карбидокремниевых (SiC) MOSFET для ответственных приложений, где ключевыми требованиями являются плотность мощности, КПД и надежность. Заменив существующие кремниевые компоненты коммутации новыми SiC устройствами, разработчики смогут значительно улучшить характеристики таких приложений, как бортовые зарядные ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники