МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,6 мОм, TO247-4L MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием. Кроме того, низкое сопротивление в открытом состоянии и компактный размер кристалла обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают высочайшую эффективность, более быструю рабочую частоту, повышенную ...
Превосходные коммутационные характеристики и повышенная надежность обеспечивают увеличение плотности мощности в различных сложных приложениях ON Semiconductor анонсировала новую линейку карбидокремниевых (SiC) MOSFET для ответственных приложений, где ключевыми требованиями являются плотность мощности, КПД и надежность. Заменив существующие кремниевые компоненты коммутации новыми SiC устройствами, разработчики смогут значительно улучшить характеристики таких приложений, как бортовые зарядные ...