Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: NXH010P120MNF1

9 предложений от 7 поставщиков
Транзистор: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO

Информация по: NXH010P120MNF1

  • Datasheet ON Semiconductor NXH010P120MNF1
    Модуль SiC, топология полумоста из 2 элементов, 1200 В, 10 МОм SiC MOSFET NXH010P120MNF1 - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET 10 МОм и термистор NTC в модуле AM F1.
  • ON Semiconductor анонсировала полностью карбидокремниевые решения для зарядных станций электромобилей
    ON Semiconductor анонсировала два 1200-вольтовых полностью карбидокремниевых (SiC) MOSFET модуля, еще больше расширяющих ассортимент ее продуктов, предназначенных для требовательного рынка электромобилей. Продолжающийся рост продаж электромобилей требует развертывания соответствующей инфраструктуры, способной удовлетворить потребности водителей, обеспечивая их сетью станций быстрой зарядки, которые позволят им доезжать до пункта назначения быстро и без беспокойства по поводу оставшегося ...
  • Datasheet ON Semiconductor NXH010P120MNF1PNG
    Модуль SiC, топология полумоста из 2 элементов, 1200 В, 10 МОм SiC MOSFET NXH010P120MNF1 - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET 10 МОм и термистор NTC в модуле AM F1.

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники