 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: PHT4NQ10T
 Купить PHT4NQ10T на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 142 ₽21 предложений от 18 поставщиков NEXPERIA - PHT4NQ10T,135 - MOSFET Transistor, N Channel, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V |
Информация по: PHT4NQ10T
- Datasheet PHT4NQ10T,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223Наименование модели: PHT4NQ10T,135 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PHT4NQ10T TrenchMOSTM standard level FET M3D087 Rev. 02 -- 2 May 2002 Product data Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 1.75 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 250 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 3 В Рабочий диапазон температрур: -65°C .. +150°C Корпус ...
- Datasheet PHT4NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 3.5 А, SOT223Наименование модели: PHT4NQ10T Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 3.5 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PHT4NQ10T TrenchMOSTM standard level FET M3D087 Rev. 02 -- 2 May 2002 Product data Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 3.5 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.2 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Рассеиваемая мощность: 6.9 Вт Рабочий диапазон ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
