Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: PHT6NQ10T

42 предложений от 18 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 3 А, 0.09 Ом, SOT-223, Surface Mount

Информация по: PHT6NQ10T

  • Datasheet PHT6NQ10T,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, 4-SOT-223
    Наименование модели: PHT6NQ10T,135 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, 4-SOT-223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor PHT6NQ10T FEATURES RoHS: есть
  • Datasheet PHT6NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223
    Наименование модели: PHT6NQ10T Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor PHT6NQ10T FEATURES Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 3 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.057 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт Рабочий ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники