Наименование модели: PHT6NQ10T Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, SOT223 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor PHT6NQ10T FEATURES Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 3 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.057 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт Рабочий ...