Наименование модели: PMDPB28UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMDPB28UN 20 V, dual N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 26 April 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Continuous Drain Current Id: 5.8 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 0.03 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ Влагостойкость: MSL 1 - ...