 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: PMGD280UN
 Купить PMGD280UN на РадиоЛоцман.Цены — от 2.64 до 610 ₽32 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,55А; 400мВт |
Информация по: PMGD280UN
- Datasheet PMGD280UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363Наименование модели: PMGD280UN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD280UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 10 February 2004 Product data Спецификации: Полярность транзистора: Dual N Channel Continuous Drain Current Id: 200 мА Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 340 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ Рассеиваемая ...
- Datasheet PMGD280UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363Наименование модели: PMGD280UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.87 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD280UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 10 February 2004 Product data Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 870 мА Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 0.28 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ Рассеиваемая мощность: ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
