 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: PMGD290XN
 Купить PMGD290XN на РадиоЛоцман.Цены — от 5.35 до 544 ₽43 предложений от 20 поставщиков NEXPERIA - PMGD290XN,115 - MOSFET ARRAY, DUAL N CHANNEL, 20V, 860MA, 6-SOT-363 |
Информация по: PMGD290XN
- Datasheet PMGD290XN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363Наименование модели: PMGD290XN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 20 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD290XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 26 February 2004 Product data Спецификации: Полярность транзистора: Dual N Channel Continuous Drain Current Id: 200 мА Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 350 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В ...
- Datasheet PMGD290XN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363Наименование модели: PMGD290XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 0.86 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD290XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 26 February 2004 Product data Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В Рассеиваемая мощность: 410 мВт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: SOT-363 Количество ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
