Наименование модели: PMGD370XN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.74 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD370XN Dual N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET MBD128 Rev. 01 -- 27 February 2004 Product data Спецификации: Module Configuration: Dual N Channel Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 740 мА Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.37 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold ...