Наименование модели: PMGD400UN,115 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, TRENCH DL, 30 В, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD400UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 3 March 2004 Product data Спецификации: Полярность транзистора: Dual N Channel Continuous Drain Current Id: 200 мА Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 480 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ Рассеиваемая ...
Наименование модели: PMGD400UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMGD400UN Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET MBD128 Rev. 01 -- 3 March 2004 Product data Спецификации: Module Configuration: Dual N Channel Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 710 мА Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.4 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs ...