Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: PMN27UN

16 предложений от 16 поставщиков
Труба MOS, N-channel TrenchMOS ultra low level FET

Информация по: PMN27UN

  • Datasheet PMN27UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT457
    Наименование модели: PMN27UN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMN27UN TrenchMOSTM ultra low level FET M3D302 Rev. 01 -- 27 September 2002 Product data Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 5.7 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 0.027 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт Рабочий ...
  • Datasheet PMN27UN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 20 В 5.7 А SOT457
    Наименование модели: PMN27UN,135 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор N-CH 20 В 5.7 А SOT457 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMN27UN TrenchMOSTM ultra low level FET M3D302 Rev. 01 -- 27 September 2002 Product data Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 2 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On State Resistance: 34 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Voltage Vgs Max: 700 мВ Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники