Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: PMPB11EN

28 предложений от 15 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5,7А; Idm: 34А

Информация по: PMPB11EN

  • Datasheet PMPB11EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220
    Наименование модели: PMPB11EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMPB11EN MD -6 30 V N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 16 May 2012 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Continuous Drain Current Id: 13 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.012 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество выводов: 8 Полярность ...
  • Datasheet PMPB20EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220
    Наименование модели: PMPB20EN Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PMPB11EN MD -6 30 V N-channel Trench MOSFET Rev. 1 -- 16 May 2012 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Continuous Drain Current Id: 10.4 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0165 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited Количество выводов: 8 Полярность ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники