Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: PSMN1R5-30BLE

6 предложений от 6 поставщиков
Труба MOS, NXP PSMN1R5-30BLE MOSFET Transistor, N Channel, 120A, 30V, 0.0013Ω, 10V, 1.7V

Информация по: PSMN1R5-30BLE

  • Datasheet PSMN1R5-30BLE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK
    Наименование модели: PSMN1R5-30BLE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN1R5-30BLE 12 October 2012 N-channel 30 V 1.5 m logic level MOSFET in D2PAK Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Continuous Drain Current Id: 120 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0013 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Количество выводов: 3 Корпус транзистора: ...
  • MOSFET фирмы NXP преодолели порог 1 мОм
    NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package). NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого сопротивления во включенном состоянии и снижения потерь переключения за счет уменьшения заряда затвора и времени восстановления. Транзисторы в корпусах обоих типов рассчитаны на большие токи, большие ...
  • Datasheet PSMN1R5-40ES - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, SOT226
    Наименование модели: PSMN1R5-40ES Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, SOT226 RoHS: Y-Ex

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники