Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: PSMN2R0-30YLE

33 предложений от 15 поставщиков
Mosfet Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 1700 Ohm, 10 V, 1.7 V Rohs Compliant: Yes

Информация по: PSMN2R0-30YLE

  • Datasheet PSMN2R0-30YLE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, LFPAK
    Наименование модели: PSMN2R0-30YLE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN2R0-30YLE 12 October 2012 N-channel 30 V 2 m logic level MOSFET in LFPAK Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 1700µ Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Количество выводов: 5 Корпус транзистора: SOT-669 ...
  • MOSFET фирмы NXP преодолели порог 1 мОм
    NXP Semiconductors расширла линейку Trench 6 MOSFET девятнадцатью транзисторами на напряжения 25, 30, 40 и 80 В. Транзисторы выпускаются в корпусах TO-220 и Power SO-8 LFPAK (Loss Free Package). NXP смогла значительно улучшить производительность и эффективность своих MOSFET за счет более низкого сопротивления во включенном состоянии и снижения потерь переключения за счет уменьшения заряда затвора и времени восстановления. Транзисторы в корпусах обоих типов рассчитаны на большие токи, большие ...
  • Datasheet PSMN2R0-30PL,127 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 3-TO-220AB
    Наименование модели: PSMN2R0-30PL,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 30 В Количество выводов: 3 Тип корпуса: 3-TO-220AB RoHS: есть

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники