Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: PSMN3R4-30BLE

23 предложений от 12 поставщиков
Полевые транзисторы - Одиночные

Информация по: PSMN3R4-30BLE

  • Datasheet PSMN1R5-30BLE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK
    Наименование модели: PSMN1R5-30BLE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN1R5-30BLE 12 October 2012 N-channel 30 V 1.5 m logic level MOSFET in D2PAK Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Continuous Drain Current Id: 120 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0013 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Количество выводов: 3 Корпус транзистора: ...
  • Datasheet PSMN3R4-30PL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, TO-220AB
    Наименование модели: PSMN3R4-30PL Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 30 В On State Resistance: 3.4 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Корпус транзистора: TO-220AB Количество выводов: 3 RoHS: есть Дополнительные аксессуары: CIRCUITWORKS - CW8100 STANNOL - 535766 ...
  • Datasheet PSMN3R4-30BLE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK
    Наименование модели: PSMN3R4-30BLE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN3R4-30BLE 12 October 2012 N-channel 30 V 3.4 m logic level MOSFET in D2PAK Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Continuous Drain Current Id: 120 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 2950µ Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В Количество выводов: 3 Корпус транзистора: ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники