Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: PSMN3R7-100BSE

Информация по: PSMN3R7-100BSE

  • Datasheet PSMN7R6-100BSE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 75 А, D2PAK
    Наименование модели: PSMN7R6-100BSE Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 75 А, D2PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN7R6-100BSE 18 December 2012 N-channel 100 V 7.6 m standard level MOSFET in D2PAK Product data sheet 1. General description Спецификации: Continuous Drain Current Id: 75 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.0065 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Количество выводов: 3 Корпус ...
  • Datasheet PSMN3R7-25YLC - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 25 В, 97 А, LFPAK
    Наименование модели: PSMN3R7-25YLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 25 В, 97 А, LFPAK RoHS: Y-Ex
  • Nexperia начинает поставки MOSFET для приложений горячей замены с лучшей в своем классе областью безопасной работы
    Отсутствие компромисса между областью безопасной работы и рабочим КПД К семейству MOSFET NextPower Live, оптимизированных для работы в линейном режиме, Nexperia добавила новый прибор PSMN3R7-100BSE с лучшей в своем классе комбинацией области безопасной работы (Safe Operating Area SOA) и низкого сопротивления открытого канала. Устройство идеально подходит для приложений горячей замены, мягкого запуска и электронных предохранителей. Для контроля больших бросков тока, которые могут возникать при ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники