Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: PSMN5R6-100XS

14 предложений от 13 поставщиков
Compliant No SVHC 3 V 3 3 V 60 W 175 °C -55 °C

Информация по: PSMN5R6-100XS

  • Datasheet PSMN5R6-100PS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 100 А, TO-220
    Наименование модели: PSMN5R6-100PS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 100 А, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN5R6-100PS N-channel 100 V 5.6 m standard level MOSFET in TO220 Rev. 03 -- 2 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 4.3 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон ...
  • Datasheet PSMN5R6-100PS,127 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 100 А, 3-TO-220AB
    Наименование модели: PSMN5R6-100PS,127 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 100 А, 3-TO-220AB Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 100 А Drain Source Voltage Vds: 100 В Количество выводов: 3 Тип корпуса: 3-TO-220AB RoHS: есть
  • Datasheet PSMN013-100XS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 35.2 А, TO220F
    Наименование модели: PSMN013-100XS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 35.2 А, TO220F Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TO -2 20F PSMN013-100XS N-channel 100V 13 m standard level MOSFET in TO220F (SOT186A) Rev. 2 -- 6 March 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 35.2 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.0108 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Количество выводов: 3 Корпус ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники