Наименование модели: PSMN9R5-30YLC Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 44 А, LFPAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: LF PA K PSMN9R5-30YLC N-channel 30 V 9.8 m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Rev. 2 -- 1 September 2011 Product data sheet 1. Product profile Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 44 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On Resistance Rds(on): 0.0083 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В ...
Наименование модели: PSMN9R5-100PS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 89 А, TO-220AB Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PSMN9R5-100PS N-channel 100 V 9.6 m standard level MOSFET in T0220 Rev. 03 -- 28 October 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 100 В On State Resistance: 8.16 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий диапазон ...
Наименование модели: PSMN013-100XS Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 35.2 А, TO220F Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TO -2 20F PSMN013-100XS N-channel 100V 13 m standard level MOSFET in TO220F (SOT186A) Rev. 2 -- 6 March 2012 Product data sheet Спецификации: Continuous Drain Current Id: 35.2 А Drain Source Voltage Vds: 100 В On Resistance Rds(on): 0.0108 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Количество выводов: 3 Корпус ...