Наименование модели: QS5U13TR Производитель: Rohm Описание: Полевой транзистор, N, VGS -2.5 В Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: QS5U13 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOS FET QS5U13 Structure Silicon N-channel MOSFET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm) Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 2 А Drain Source Voltage Vds: 30 В On State Resistance: 154 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Voltage Vgs Max: 12 В Корпус ...