Наименование модели: QS6U22TR Производитель: Rohm Описание: Полевой транзистор, P, VGS -2.5 В Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: QS6U22 Transistors 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U22 Structure Silicon P-channel MOS FET Schottky Barrier DIODE External dimensions (Unit : mm) Спецификации: Полярность транзистора: P Channel Continuous Drain Current Id: 1.5 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On State Resistance: 430 МОм Корпус транзистора: TSMT SVHC: No SVHC (18-Jun-2010) Capacitance ...