Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: RFP12N10L

41 предложений от 23 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 12 А, 0.2 Ом, TO-220AB, Through Hole

Информация по: RFP12N10L

  • Datasheet RFP12N10L - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, TO-220
    Наименование модели: RFP12N10L Производитель: Fairchild Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, TO-220 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: RFP12N10L Data Sheet April 2005 12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors specifically designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This ...
  • Datasheet ON Semiconductor RFP12N10L
    N-канальный логический уровень, силовой МОП-транзистор 100 В, 12 А, 200 мОм
  • Сопротивление электронной нагрузки достигает нуля
    Журнал РАДИОЛОЦМАН, март 2019 Henry Santana Electronic Design Europe Общий подход к созданию электронных нагрузок заключается в использовании транзистора, подключенного к входным зажимам так, чтобы ток протекал от стока (коллектора) к истоку (эмиттеру). Сопротивление моделируется протекающим током, пропорциональным приложенному напряжению, в соответствии с формулой I = V/R. Контроллер отслеживает уровень приложенного напряжения и регулирует ток в соответствии с этим уровнем (Рисунок 1). ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники