Наименование модели: SEMIX 202GB066HD Производитель: Semikron Описание: IGBT MODULE, DUAL 600 В Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Collector Emitter Voltage Vces: 1.9 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Корпус транзистора: SEMiX 2 SVHC: No SVHC (18-Jun-2010) External Depth: 61.6 мм Внешняя ширина: 116.5 мм Количество транзисторов: 2 Тип корпуса: SEMiX 2 Тип транзистора: Av Current Ic: 240 А Current Ic Continuous a Max: 240 А Current Ic Continuous b Max: 270 А Current ...
Наименование модели: SEMIX 101GD126HDS Производитель: Semikron Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK Указания по применению Краткое содержание документа: SEMiX® - Technical Explanations SEMiX ® IGBT Modules & Bridge Rectifier Family Technical Explanations Version 2.0 / January 2008 Christian Daucher Спецификации: Module Configuration: Six Полярность транзистора: N Channel DC Collector Current: 130 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Рабочий ...
Наименование модели: SEMIX 353GD176HDC Производитель: Semikron Описание: IGBT MODULE, 1700 В, 6 PACK Указания по применению Краткое содержание документа: SEMiX® - Technical Explanations SEMiX ® IGBT Modules & Bridge Rectifier Family Technical Explanations Version 2.0 / January 2008 Christian Daucher Спецификации: DC Collector Current: 365 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.45 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7 В Корпус транзистора: SEMiX 33c Количество выводов: 29 External Depth: 150 ...