Наименование модели: SI2302DS,215 Производитель: NXP Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.5 А, SOT23 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: SI2302DS N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 -- 20 November 2001 M3D088 Product data Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 3.6 А Drain Source Voltage Vds: 20 В On Resistance Rds(on): 85 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В Threshold Voltage Vgs Typ: 650 мВ Рассеиваемая мощность: ...
N-канальный полевой транзистор логического уровня TrenchMOS Режим улучшения N-канала логического уровня. Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования только в компьютерных, коммуникационных, бытовых и промышленных приложениях. Этот продукт был удален. ...
Введение Высокая температура силовых компонентов известное явление в электронике. Чтобы решить эту проблему, конструкторы устанавливают на компоненты радиаторы для отвода тепла, однако во многих коммерческих и бытовых устройствах встроенного радиатора недостаточно, и воздух должен циркулировать быстрее, чтобы снизить температуру радиатора и компонентов, иначе срок службы компонентов значительно сокращается. Предлагаемая плата автоматического контроллера вентилятора проста, компактна и может ...