Наименование модели: SI3458BDV-T1-GE3 Производитель: Vishay Описание: N CH полевой транзистор Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 3.2 А Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 82 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В Power Dissipation Pd: 2 Вт RoHS: есть
Журнал РАДИОЛОЦМАН, ноябрь 2011 Rich Rosen, National Semiconductor Введение Экспоненциальный рост количества светодиодных источников света сопровождается столь же бурным расширением ассортимента интегральных схем, предназначенных для управления питанием светодиодов. Импульсные драйверы светодиодов давно заменили неприемлемые для озабоченного экономией энергии мира прожорливые линейные регуляторы, став для отрасли фактическим стандартом. Любые приложения, от ручного фонарика до информационных ...
Наименование модели: SI3458BDV-T1-E3 Производитель: Vishay Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 4.1 А, TSOP-6 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Si3458BDV Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) 60 RDS(on) () 0.100 at VGS = 10 V 0.128 at VGS = 4.5 V ID (A)d 4.1 3.5 nC 3.6 Qg (Typ.) Спецификации: Полярность транзистора: N Channel Drain Source Voltage Vds: 60 В On State Resistance: 92 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Voltage Vgs Max: 20 В Рабочий ...