N-канальный 60 В (DS) МОП-транзистор Мощный МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV Очень низкий RDS - показатель качества Qg (FOM) Настроен на самый низкий RDS - Qoss FOM
Устройство в корпусе PowerPAK 1212-8S, разработанное для стандартных драйверов затворов, имеет низкий заряд затвора 22.5 нКл и выходной заряд 34.2 нКл Vishay Intertechnology представила новый мощный 60-вольтовый n-канальный MOSFET в корпусе PowerPAK 1212-8S размером 3.3 мм × 3.3 мм со сниженным тепловым сопротивлением, изготавливаемый с использованием IV поколения технологии TrenchFET. Транзистор, впервые в отрасли оптимизированный для использования со стандартными драйверами затворов, ...
N-канальный 60 В (DS) МОП-транзистор Мощный МОП-транзистор TrenchFET® Gen IV Очень низкий RDS - показатель качества Qg (FOM) Настроен на самый низкий RDS - Qoss FOM