Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: SJEP120R100

Информация по: SJEP120R100

  • Datasheet SJEP120R100 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 17 А, TO247
    Наименование модели: SJEP120R100 Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 17 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R100 Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.100 170 V µJ Спецификации: Тип транзистора: JFET Breakdown Voltage Vbr: 1200 В Рассеиваемая мощность: 114 Вт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: TO-247 Количество выводов: 3 RoHS: есть ...
  • Datasheet SJEP120R100A - SemiSouth Даташит JFET, SIC, аудио, 1200 В, 17 А, TO247
    Наименование модели: SJEP120R100A Производитель: SemiSouth Описание: JFET, SIC, аудио, 1200 В, 17 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: Silicon Carbide PRELIMINARY SJEP120R100A Product Summary BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.100 170 V µJ Спецификации: Тип транзистора: JFET Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 15 В Рассеиваемая мощность: 114 Вт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +150°C Корпус транзистора: TO-247 Количество выводов: 3 RoHS: есть ...
  • SemiSouth представила JFET-транзисторы, специально разработаные для Hi-End аудиотехники
    SemiSouth Laboratories представила новое семейство дешевых карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов с управляющим p-n переходом (JFET). Устройства имеют очень высокую степень линейности и предназначены для аудио приложений класса Hi-End. SJEP120R100A и SJEP120R063A обеспечивают очень хорошую линейность и низкий уровень искажений. Совместимые со стандартными микросхемами драйверов управления затворами, обе версии отличаются положительным температурным коэффициентом, упрощающим параллельное ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники