Поиск datasheet электронных компонентов

Поиск по: SK35GD126ET

8 предложений от 8 поставщиков
Транзистор IGBT, SEMIKRON SK35GD126ET IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 40A, 2.1V, 1.05kW, 1.2kV, SEMITOP 3

Информация по: SK35GD126ET

  • Datasheet SK35GD126ET - Semikron Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK
    Наименование модели: SK35GD126ET Производитель: Semikron Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 6 PACK Спецификации: Module Configuration: Six Полярность транзистора: N Channel DC Collector Current: 40 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Рабочий диапазон температрур: -40°C .. +150°C Корпус транзистора: SEMITOP 3 Количество выводов: 36 External Depth: 31 мм Внешняя ширина: 55 мм Количество транзисторов: 6 Тип корпуса: SEMITOP 3 Способ монтажа: Screw Тип ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники