Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: SKM40GD123D

9 предложений от 9 поставщиков
Полупроводниковый компонент S.TRANS

Информация по: SKM40GD123D

  • Datasheet SKM40GD123D - Semikron Даташит IGBT MODULE, 6 PACK
    Наименование модели: SKM40GD123D Производитель: Semikron Описание: IGBT MODULE, 6 PACK Спецификации: Полярность транзистора: N Channel DC Collector Current: 40 А Collector Emitter Voltage Vces: 3.3 В Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Рабочий диапазон температрур: -40°C .. +150°C Корпус транзистора: SEMITRANS 6 External Depth: 45 мм Внешняя длина / высота: 24 мм Внешняя ширина: 105 мм Количество транзисторов: 6 Тип корпуса: SEMITRANS 6 Способ монтажа: Screw Тип транзистора: Av Current ...
  • Datasheet IGW40T120 - Infineon Даташит IGBT, 1200 В, 40 А, TO247
    Наименование модели: IGW40T120 Производитель: Infineon Описание: IGBT, 1200 В, 40 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: TrenchStop Series ® IGW40T120 C Low Loss IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology Спецификации: DC Collector Current: 40 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.3 В Power Dissipation Max: 270 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Рабочий диапазон температрур: -40°C .. +150°C Корпус транзистора: TO-247 Количество выводов: 3 RoHS: есть ...
  • Datasheet IKW40N120H3 - Infineon Даташит IGBT+ диод, 1200 В, 40 А, TO247
    Наименование модели: IKW40N120H3 Производитель: Infineon Описание: IGBT+ диод, 1200 В, 40 А, TO247 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: ! ' $ ( ## # ! # # $ Спецификации: DC Collector Current: 40 А Collector Emitter Voltage Vces: 2.4 В Power Dissipation Max: 483 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ Рабочий диапазон температрур: -40°C .. +175°C Корпус транзистора: TO-247 Количество выводов: 3 RoHS: есть Дополнительные аксессуары: AAVID THERMALLOY - BW50-2G Semikron - ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники