P-КАНАЛ 30 В - 0,025 Ом - МОП-транзистор STripFET II, 24 А Этот силовой полевой МОП-транзистор является последней разработкой уникального процесса STMicroelectronics на основе полоски «единого размера». Полученный транзистор демонстрирует чрезвычайно высокую плотность упаковки для низкого сопротивления в открытом состоянии и низкого заряда затвора. Функции: Низкий заряд ворот Устройство с низким порогом Стандартный контур для простого автоматизированного монтажа на ...
П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
P-КАНАЛ 30 В - 0,025 Ом - МОП-транзистор STripFET II, 24 А Этот силовой полевой МОП-транзистор является последней разработкой уникального процесса STMicroelectronics на основе полоски «единого размера». Полученный транзистор демонстрирует чрезвычайно высокую плотность упаковки для низкого сопротивления в открытом состоянии и низкого заряда затвора. Функции: Низкий заряд ворот Устройство с низким порогом Стандартный контур для простого автоматизированного монтажа на ...