Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: STGAP2SICD

Информация по: STGAP2SICD

  • Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICD
    Гальванически развязанный драйвер двойного затвора на 4 А Все функции Рельс высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 A сток/источник при 25 °C Устойчивость к переходным процессам dV/dt ±100 В/нс Общая задержка распространения вход-выход: 75 нс Отдельный приемник и источник для простой настройки управления воротами 4 ЗАЖИМ Миллера УФЛО функция Настраиваемая функция блокировки ...
  • Двухканальные драйверы затворов компании STMicroelectronics оптимизируют и упрощают управление IGBT и SiC MOSFET
    Два новых двухканальных гальванически изолированных драйвера затворов IGBT и карбидокремниевых (SiC) MOSFET компании STMicroelectronics экономят место на плате и упрощают разработку высоковольтных преобразователей энергии и промышленных приложений. В микросхемах STGAP2HD для IGBT и STGAP2SICD для SiC MOSFET, выпускаемых в широком корпусе SO-36W, используется новейшая технология гальванической развязки компании ST, позволяющая выдерживать переходные напряжения 6 кВ. Кроме того, устойчивость к ...
  • Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICD
    Гальванически развязанный драйвер двойного затвора на 4 А Все функции Рельс высокого напряжения до 1200 В Допустимый ток драйвера: 4 A сток/источник при 25 °C Устойчивость к переходным процессам dV/dt ±100 В/нс Общая задержка распространения вход-выход: 75 нс Отдельный приемник и источник для простой настройки управления воротами 4 ЗАЖИМ Миллера УФЛО функция Настраиваемая функция блокировки ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники