 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: STGB10NB60ST4
 Купить STGB10NB60ST4 на РадиоЛоцман.Цены — от 60 до 586 ₽12 предложений от 12 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Информация по: STGB10NB60ST4
- Datasheet STGB10NB60ST4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, SMD, 600 В, 10 А, D2-PAKНаименование модели: STGB10NB60ST4 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, SMD, 600 В, 10 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGP10NB60S STGP10NB60SFP- STGB10NB60S N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/DІPAK PowerMESHTM IGBT Table 1: General Features TYPE STGP10NB60S STGP10NB60SFP STGB10NB60S Данные для моделирования Спецификации: Тип транзистора: PowerMESH Max Voltage Vce Sat: 1.7 В Корпус транзистора: D2-PAK Количество выводов: 3 Корпус: D2-PAK Fall Time ...
- Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronicsП. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
