 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: STGB14NC60KT4
 Купить STGB14NC60KT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 54 до 486 ₽14 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Информация по: STGB14NC60KT4
- Datasheet STGB14NC60KT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, SMD, 600 В, 14 А, D2-PAKНаименование модели: STGB14NC60KT4 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, SMD, 600 В, 14 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB14NC60K STGD14NC60K N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESHTM IGBT General features Type STGB14NC60K STGD14NC60K VCES 600V 600V Спецификации: Тип транзистора: PowerMESH Max Voltage Vce Sat: 2.5 В Корпус транзистора: D2-PAK Количество выводов: 3 Корпус: D2-PAK Fall Time Tf: 75 нс Max Current Ic Continuous a: ...
- Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronicsП. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
