 |
Поиск datasheet электронных компонентов |
| en |
Поиск по: STGB3NB60SDT4
 Купить STGB3NB60SDT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 346 до 441 ₽11 предложений от 11 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Информация по: STGB3NB60SDT4
- Datasheet STGB3NB60SDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, SMD, 600 В, 3 А, D2-PAKНаименование модели: STGB3NB60SDT4 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, SMD, 600 В, 3 А, D2-PAK Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: STGB3NB60SD N-CHANNEL 3A - 600V D2PAK Power MESHTM IGBT TYPE STGB3NB60SD s VCES 600 V Спецификации: Тип транзистора: IGBT DC Collector Current: 6 А Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В Power Dissipation Max: 70 Вт Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В Operating Temperature Range: -60°C to +175°C Корпус транзистора: D2-PAK Количество ...
- Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronicsП. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...
Новое в электронике
- Вышел электронный журнал «РадиоЛоцман» 2025, 03-04
- Цифровые потенциометры программируют биквадратный фильтр
- Резидент ОЭЗ «Технополис Москва» изготовил головное устройство для электромобиля
- Диджитайзеры от резидента Сколково ускорят проведение научных исследований в России
Остались вопросы?
- Форум по электронным компонентамПомощь экспертов в поиске даташитов и аналогов, вопросы применения.
- Производители электронных компонентовЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
- Каталог сайтов по электронным компонентамЧипы, транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы.
