Поиск datasheet электронных компонентов
  en

Поиск по: STGD10NC60KDT4

37 предложений от 20 поставщиков
Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Информация по: STGD10NC60KDT4

  • Datasheet STGD10NC60KDT4 - STMicroelectronics Даташит IGBT, D-PAK
    Наименование модели: STGD10NC60KDT4 Производитель: STMicroelectronics Описание: IGBT, D-PAK Скачать Data Sheet Спецификации: Тип транзистора: IGBT Max Voltage Vce Sat: 2 В Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В Корпус транзистора: D-PAK Alternate Case Style: TO-252 Корпус: D-PAK Current Temperature: 100°C Fall Time Tf: 82 нс Full Power Rating Temperature: 100°C Max Current Ic Continuous a: 10 А Power Dissipation: 60 Вт Power Dissipation Pd: 60 Вт Pulsed Current Icm: 40 А Rise Time: 6.5 ...
  • Обзор MOSFET и IGBT компании STMicroelectronics
    П. Ильин, Н. Алимов Новости Электроники 2, 2009 Мощные транзисторы MOSFET и IGBT являются в буквальном смысле ключевыми элементами современной силовой электроники. Они незаменимы в приложениях, где требуется быстрая коммутация больших токов и напряжений. Охватывая близкие области применения, эти транзисторы позволяют разработчику сделать выбор в пользу MOSFET- или IGBT-технологии, в зависимости от режимов работы схемы. В статье рассмотрены типы MOSFET и IGBT, выпускаемых STMicroelectronics. ...

Новое в электронике

Остались вопросы?

РадиоЛоцман - портал для разработчиков электроники